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美国T-RAM公司日前宣布，他们已经和GLOBALFOUNDRIES公司（原AMD芯片制造业务）达成共同开发协议，将把T-RAM公司的Thyristor-RAM嵌入式存储技术应用在GLOBALFOUNDRIES未来制程工艺当中。
GLOBALFOUNDRIES的技术研发高级副总裁Gregg Bartlett表示，T-RAM技术将应用在该公司的32nm及22nm工艺中，有望在低功耗、高性能的前提下，在同一晶圆面积内容纳更大容量的缓存。
Thyristor-RAM即可控硅RAM技术，在存储密度和速度方面都有其独到之处，尤其适合使用在处理器嵌入缓存上。T-RAM公司就是专为该技术的研发和授权而生。该技术既可用于体硅工艺，也可用于应变硅（SOI）工艺。而根据AMD之前的计划，GLOBALFOUNDRIES将于今年底前启动32nm体硅工艺制造，明年第一季度投产32nm SOI工艺。
以现有消息，还不清楚T-RAM技术是否会在GLOBALFOUNDRIES的32nm工艺制造中全面应用，还是会使用在某些产品上。至于该技术究竟会用于缩小芯片内缓存部分面积，还是为了嵌入更大容量的缓存也不得而知。当然，如果GLOBALFOUNDRIES找到除AMD外的其他代工客户，其产品也有望应用T-RAM技术。
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