|
内存从标准上可以分为：SIMM、DIMM
内存从外观上可以分为：30线、64线、72线、100线、144线、168线、200线和卡式、插座式。
内存从芯片类别上可以分为：FPM、EDO、SDRAM、RAMBUS、DDR
内存从整体性能上可以分为：普通（无任何特殊功能）、带校验（自动检错）、带纠错（自动纠错）三种。
我们应该以第一种分类方式来理解内存比较科学一些：
1． 30线：类型：FPM
FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了
容量：256k、1M、4M、16M
功能：普通、检错
主要适用范围：286、386、486计算机
2． 72线：类型：FPM、EDO
EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。
容量：1M、2M、4M、8M、16M、32M、64M、128M
功能：普通、检错、纠错
主要适用范围：486、586计算机
3． 64线：过渡性产品，仅在AST 486SX机器上出现过。
4． 80线：类型：flash memory
Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
实际应用中的闪存主要分为NOR和NAND两种。NOR有着较快的数据读取速度，但数据写入速度却很慢。在电子产品中一般作为程序存储器。而NAND虽然数据读取速度比NOR慢，但数据写入速度却比NOR快的多，因此在电子产品中一般作为数据存储器。
容量：2M、4M、8M、16M.
功能：普通
主要适用范围：路由器
5．100线：类型：EDO、SDRAM
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。
容量：4M、8M、16M、32M
功能：普通
主要适用范围：激光打印机、路由器
6. 168线：类型：FPM、EDO、SDRAM
容量：8M、16M、32M、64M、128M、256M、512M.
功能：普通、纠错、Registered
主要适用范围：568以上机型
7. 200线：类型：EDO、SDRAM
容量：32M、64M、128M、256M
功能：检错、纠错
主要适用范围：SUN工作站
8.卡式.插座式：类型：EDO、FLASH
容量：1M、2M、4M、8M、16M、32M、40M、80M…
功能：普通、纠错 |
|
收藏
