图解CPU的基本单元－－晶体管制造步骤

imffo441

图解CPU的基本单元－－晶体管制造步骤
Intel提供了一个生动的动画， 但是文件有好几个，体积也太大了。

图画如何制造一个晶体管，步骤比较直观，步骤清晰。请大家发言，猜猜每张图是做什么呢？

图1.jpg到图09.jpg不是产生晶体管的绝对必要步骤，而是先产生一圈，绝缘层。中间经历以下小步骤，大家猜猜看是做什么呢？

灰--纯Si，红--二氧化硅,蓝--感光物质

偶拽他才动的
有没有自动的

原帖由 STike 于 2006-7-4 18:58 发表
偶拽他才动的
有没有自动的

暂时没发现， 全自动。

不过也有好处，有些步骤可以在右边的图上，按着鼠标，做腐蚀、掺杂， 挺形象。

CPU的电路图是有逻辑门和触发器电路组成，以触发器为模块

第一章是一个衬底，我假定它是一个p衬底做nmos
第二张开始没明白要干什么，看后来的知道了是把它mos管与外界隔绝，用sio2做一圈隔离
第三张是做active扩散区，在p衬底中掺杂3价元素，绿色的是掺入的杂质，轻掺杂
第四张做场栅极氧化层（薄的sio2）是为了做gate用的，就是金黄色的那层，非常薄
第五张做多晶硅的栅极，先把多晶硅铺满，然后用光掩模技术做需要保留的图案，曝光、清洗（同时洗去剩余表面的栅氧），这个步骤在这几张中最复杂
No6 进行扩散过程，用n+（5价）diffusion做源级和漏级，橘红色的是扩散进去的n杂质，图里夸张了，应该不用扩散那么深，不过现在一般都用离子注入做的，成本高些
No7最后一张做金属接触contact，褐色的是金属，把源、漏、栅极都接出去，外面连接金属导线，一层一层往上做，深红色的应该是用沉淀过程做的sio2

所用工艺：扩散、离子注入、光掩摹＂沉淀、退火、腐蚀、cmp、氧化、可能还要做外延