<P><FONT face=Arial>CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS.</FONT></P>
<P><FONT face=Arial><FONT color=#000000>1.CAS(CL):</FONT></FONT></P>
<P><FONT face=Arial> 内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间。这个参数很重要,内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参 数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择,SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减 少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统,我们应当尽量把CAS参数调低。 </FONT></P>
<P><FONT face=Arial><FONT color=#000000>2.tRCD(RAS To CAS Delay):</FONT></FONT></P>
<P><FONT face=Arial> 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间,参数选项有2和3这两个选择,同样是越小越好。</FONT></P>
<P><FONT face=Arial><FONT color=#000000>3.tRP(RAS Precharge Time):</FONT></FONT></P>
<P><FONT face=Arial> 内存行地址控制器预充电时间,参数选项有2和3这两个选择,预充电参数越小则内存读写速度就越快。</FONT></P>
<P><FONT face=Arial><FONT color=#000000>4.tRAS(RAS Active Time):</FONT></FONT></P>
<P><FONT face=Arial> 内存行有效至预充电的最短周期,一般我们可选的参数选项有5,6或者7这3个,但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大,最高可到 15,最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在5-11之间。</FONT></P> |