不给机械盘留活路?三星提出闪存新标准:体积更小容量更大

肖逸文 / 2017-8-9
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正在美国旧金山举办的2017闪存峰会(Flash Memory Summit 2017)上,三星推出了新一代V-NAND闪存颗粒,容量大幅提升,达到1Tb(1Terabit)。此外,三星还一同提出了NGSFF(Next Generation Small Form Factor)标准,取代M.2固态硬盘规格。

三星新一代V-NAND(垂直堆叠3D NAND)将此前最大的存储单晶粒512Gb容量直接翻倍,提升到1Tb,而且将用于消费级的产品,三星将要推出的2TB SSD产品会用上最新的V-NAND,用一颗芯片封装16个1Tb的Die,使得整个SSD产品的体积进一步缩小。

也正因为这个原因,新的产品大小将比传统M.2接口SSD中最小的2242(NGFF)的电路板设计更小,故而三星也提出新的NGSFF(Next Generation Small Form Factor)标准以适应需要。


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