拯救旗舰机闪存供应!闪迪推出UFS 2.1闪存芯片

肖逸文 / 2017-12-5
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移动设备的存储性能和容量大小已经越发受到消费者的重视,这也导致了旗舰级移动智能设备的产能一定程度上受到了高端存储芯片产能的限制。近日,西部数据公司旗下的存储品牌闪迪(SanDisk),推出了新一代iNAND闪存芯片产品,已公布的两款均采用了闪迪的64层3D堆叠技术,按照高性能和高性价比的定位,分别支持UFS和eMMC两种标准。

走高性价比路线的iNAND 7550则支持的是eMMC 5.1标准,容量也是256GB,宣称连续写入260MB/s,随机读取20K、随机写入15K。

走高性能路线的iNAND 8521容量为256GB,支持UFS 2.1标准,采用了第五代智能SLC缓存技术,宣称连续写入速度相比时下市场上iNAND系列的主流产品iNAND 7232(eMMC 5.1标准)提升了1倍,达到600MB/s,随机读取提升则更大。

相信西数闪迪的介入,能为高端闪存芯片市场带来些新的活力和竞争,移动智能终端产品受到的供应链压力能有所减缓,存储容量也能在接下来的5G时代得到进一步提升。

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