三星率先量产96层TLC V-NAND闪存芯片,大容量SSD或将普及

徐伟杰 / 2018-7-11

在NAND Flash市场行情日渐疲软的当下,谁能够先做出技术突破,谁就能大幅提振自身业绩、乃至整个行情。

据最新消息,三星宣布了已经开量产第五代96层V-NAND闪存颗粒,在与美光、西数和东芝的竞争中领先一步,率先进入96层时代。

全新的第五代V-NAND相较上代的64层颗粒性能上有着大幅提升。其内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存单元,单模容256Gb(即32GB)。

由于首次采用了Toggle DDR 4.0接口,传输速率最高可达1.4Gbps,比之上代提升了整整40%;其数据写入速延迟仅为500 微妙,较前代提升了30%,读取延迟大幅缩短至50微妙。而其工作电压也从1.8V将至1.2V,能够降低使用平台的整体功耗。

三星还透露,未来还将推出QLC V-NAND闪存颗粒,其单模容量达到1Tb(即128GB)。QLC颗粒价格相比TLC更为低廉、容量也更大,被众多厂家所推崇为SSD的普及产品。

在NAND闪存芯片市场持续走低的当下,三星的突破无疑是一剂强心剂。96层堆叠技术能够使NAND Flash芯片的价格更为亲民,相信大容量SSD的普及在不久之后就会到来。

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