一夜之间，关于国产内存的利好消息久违地到来了。半导体行业观察曝料称：合肥长鑫已正式投片8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片。

在今年四月的一次公开活动上，合肥长鑫CEO王宁国表示，计划将于今年年底前推出8GB DDR4工程样品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4，当年年底达到2万片的月产能。如今看来关于LPDDR4芯片的研发正在按步就班地进行中，还有一年的试生产期与计划节点正好对得上。踏实的研发进度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高兴的消息。

最近，随着中国正式启动对三星、美光、SK海力士等内存三巨头的反垄断调查，国产内存也再次成为了受关注的焦点。目前国内DRAM的研发制造方面共分为三大阵营，无论是合肥长鑫、长江存储还是福建晋华，都基本将量产时间定于2019年上半年。其中DDR4的进度普遍较快，但在应用前景和专利风险都相当可观的LPDDR4领域，只有合肥长鑫进度最快。

不过，就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5内存颗粒的正式量产。内存三巨头在DDR5、GDDR6的技术积累已经基本完成，产业布局也更为成熟。在可以预期的2-3年内，国产内存极有可能会面临着出生即落后的境遇。而由于制程与产能的双重落后，国产内存在短期内很难对国际DRAM市场格局造成影响。但从长期来说，国产存储芯片的大规模投产一定会对市场格局造成冲击。

国产内存在研发制造方面的突破无疑是一件幸事，而更加可喜的是中国存储行业的三大阵营正在踏实地达成既定的计划，让市场看到巨额投入的价值体现。

但另一方面，国产存储芯片技术方面的技术劣势是短期内无法改变的，出生即落后无疑令人丧气，但却是事实。我们只能寄希望于中国庞大的市场体量能够支撑得起国产存储行业进行持续的技术追赶与超越，以及国家行政力量在各方面的支撑。

国产8Gb LPDDR4投片生产，可喜可贺；国产内存的进取之路，道阻且长。