根据hkepc报道，三星在Samsung SSD Forum 2018 Tokyo大会中宣布已正式量产 96层的第 5 代 V-NAND闪存颗粒，密度由之前的64层提升到96层，同时首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速度高达1.4Gbps，比上代64 层架构提升了40%。此外，三星表示年内将推出全球首款32TB SSD。

三星还首发高达1Tbit（128GB）的3D TLC闪存颗粒，它支持32颗封装，单个芯片的容量到了4TB。三星PM1643系列SSD将采用此芯片，该SSD最高容量可达32TB，它采用2.5英寸设计，主要用于数据中心企业市场。据三星透露它的随机性能比第四代V-NAND 高2.5 倍。

三星除了针对于企业用户外，还会针对消费者推出QLC SSD，该SSD会采用SATA接口，性能与TLC相差不大，读写速度能达到540MB/s，520MB/s，预计下半年会问世。