决胜物理极限制程 三星预计明年完成3nm制程工艺开发

决胜物理极限制程 三星预计明年完成3nm制程工艺开发

徐伟杰 / 2019-09-11

目前,采用台积电7nm工艺的芯片已然占据了主流市场地位,甚至升级的7nm+ EUV也已经锁定了华为这一大客户。而另一大先进制程代工方三星相较之下则是一步落后步步落后,在10nm、7nn、5nm三个节点都落后于对手,以至于订单枯萎。

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不过三星也有自己的翻盘计划。在现阶段包括EUV等技术的推动下,硅晶体管集成电路的制程物理极限已经被推进至3nm,三星也是将注压在了这一重要节点上。在上周于日本举行的三星晶圆代工论坛上,三星宣城3nm制程工艺明年就能完成开发,预计2021年量产。要知道三星从去年开始就在给自家的3nm吹风,上一回的口径还是2020年量产。

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三星3nm与目前工艺最大的不同点在于晶体管。新制程的晶体管将是第一代GAA晶体管,相较目前的FinFET晶体管,三星称前者性能有着显著的增强。

三星3nm GAA工艺相较目前的7nm,能够降低45%的芯片面积,降低50%功耗的同事性能提升35%。而不出意外的话,2021年台积电的3nm制程也将上线,届时竞争会更激烈。更重要的是,目前日韩在半导体原材料上的争端不知是否会影响到三星的进度。



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