除了英特尔之外，几个晶圆代工巨头都将工艺提升至个位数，比如说三星的8nm工艺与台积电的7nm工艺，尤其是台积电的7nm工艺制程，更是获得客户们的好评，从而供不应求。台积电也表示大幅扩充7nm制程的产品，同时即将量产5nm。而三星则在近期向大家公布了最新修订的工艺制程。

图源：WiKiChip

根据三星的表述，由于FinFET制程的限制，三星计划从3nm开始不再使用这项工艺，从而转用GAA MCFET工艺，而这项工艺也将是三星首发，当然三星称目前的7nm以及未来推出的6nm，5nm与4nm都将采用FinFET工艺，分别为6nm LPP、5nm LPE与4nm LPE。

事实上三星表示的5nm制程工艺基于目前7nm LPP的改良，和7nm相比主要是晶体管密度得到了提升，基于目前最新技术下的晶体管密度可以达到130MTr/mm²，这个成绩也超过了Intel的10nm以及台积电的7nm。

最后三星还表示将会在2021年实现4nm工艺的量产，晶体管密度提升至137MTr/mm²，这个成绩也超过了台积电5nm的性能水平。不过考虑到各大巨头经常会放鸽子，4nm能否在2021年顺利量产还是要进行观望。