英特尔近些年在CPU制造工艺上遇到瓶颈停滞不前，但这Intel在芯片封装工上也是没有停下步伐，近些年也是推出了各种先进的封装技术，其中包括我们熟悉的3D Foveros封装技术、横向拼接Co-EMIB技术等等。

而英特尔最近推出了一种全新的“混合键合”(Hybrid Bonding)，这套技术可做到更小的凸点间距，并且可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”工艺。

根据英特尔介绍，混合键合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

Intel目前的3D Foveros立体封装技术，可以让逻辑芯片可以堆叠在一起，而其中的凸点间距在50微米左右，每平方毫米集成大约400个凸点，而应用新的混合键合技术，凸点间距缩小到10微米，每平方毫米的凸点数量更能达到1万个，增加了足足25倍。

目前采用混合结合封装技术的测试芯片已于2020年第二季度流片，不过Intel没有透露会在哪些产品上使用这项技术。