想要让芯片取得更加出色的性能，除了架构设计之外，另外一项重要的工艺就是制程，因为制程决定着在一定的面积下能够塞下多少晶体管，从而带动芯片的极速发展。目前在晶圆代工领域，台积电算得上是王者，目前5nm制程工艺已经开始正式量产，而4nm制程也即将进入风险生产的阶段，那3nm之后，台积电又有怎样的手段去避免晶体管出现意外的情况？现在看起来人们需要寻找到一种全新的材料，从而让晶体管的制程更加先进。

近日台积电与台达和麻省理工共同宣布寻找到了一种全新的接触电极，这种材料就是金属铋，与传统的半导体材料相比，这种材料可以大幅降低电阻，提升通过的电流，并且已经和硅材料不相上下，当然想要驯服这种全新的半导体材料似乎并不是什么容易的事情，台积电也是与台大以及麻省理工学院共同研究，经过一年半的时间才将铋材料缩放至与晶体管相差不断的规格。

台积电已经更新了旗下最新的半导体生产路线图，在该路线图中，台积电计划在今年开始风险生产4nm工艺制程，2022年实现量产，而3nm制程则将在2022年下半年开始生产，至于未来的2nm以及1nm等制程，台积电也表示目前正在研发之中。