目前高通已经量产新一代的旗舰处理器骁龙8 Gen 1，在GPU性能上有着比较大的提升，然而这颗处理器的发热量让人感到绝望，在目前已经发售的手机中，大家普遍的感受就是发热量过高，导致手机游戏体验十分地糟糕，而在Redmi的发布会上，卢伟冰也表达了对于骁龙8 Gen 1的无奈。其中一个重要的原因就是这款处理器采用的是三星的4nm制程工艺，而现在有消息称高通计划更换台积电工艺，从而让能耗比有所提升。

爆料称，目前高通已经为改良款骁龙8 Gen 1 Plus向台积电提供了相当多的订单，目前已经完成了流片阶段，而距离量产也没有多少时间，预计将会在4月交付首批基于台积电4nm制程的晶圆，数量大约为2万块，而这些晶圆经过封装之后，预计在第二季度正式交付，而随着工艺的进步，预计从第三季度开始，每季度就可以顺利出产5万块晶圆，从而满足下半年旗舰手机的使用，同时该芯片的良率将会超过70%，比三星制程高了不少。

目前暂时还不清楚基于台积电4nm制程工艺的骁龙8 Gen 1在能耗比上提升多少，不过考虑到同样采用台积电4nm的天玑9000处理器的工程机性能表现出色，那么这款骁龙8 Gen 1 Plus的实际表现应该也比较出众，至少比现在的骁龙8 Gen 1强上不少。