日前，美国NEO半导体公司宣布了全球首款3D内存，可解决内存容量瓶颈，追上SSD。相关专利申请已于2023年4月6日在美国专利申请公告中公布。

NEO是一家存储芯片技术公司，这次推出的3DX-DRAM号称全球首款类3D NAND的内存技术，将内存带入3D时代。其技术思路跟3D NAND闪存类似，通过堆栈层数来提高内存容量，类似闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask就可以形成垂直结构，因此良率高、成本低、密度大幅提升。

根据Neo的估计，3DX-DRAM技术可以通过230层实现128GB的容量，相较于当前16GB的2D DRAM内存实现8倍容量的提升，并且计划每十年将3DX-DRAM的容量提升8倍，到2035年达到1TB的核心容量，实现总计64倍的容量提升。不过，由于NEO公司并没有自己的晶圆厂，因此目前寻找授权厂商，如三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等，以便将3DX-DRAM投入生产。