近日，SK海力士在超级计算大会2025上展示了全球首个12层堆叠的HBM4内存芯片，其单颗芯片集成了2048个I/O通道，带宽飙升同时功耗效率提升40%，与前代HBM3相比，HBM4运行速度提高60%以上、数据传输速率达到10Gbps，大幅超越了JEDEC标准规定的8Gbps。

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据悉，早在今年3月份SK海力士就向英伟达等主要客提供了12层HBM4样品，今年九月份完成开发并全球构建量产体系。而11月份SK海力士与英伟达达成的HBM4供应协议中，单颗产品定价已然突破560美元，现阶段SK海力士HBM4产能已被全部预定，英伟达Rubin芯片、AMD MI400等新一代AI加速器均在采用HBM4架构。

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据介绍，SK海力士通过增加芯片堆叠层数和先进接口设计来实现带宽升级；通过自主创新的Advanced MR-MUF技术，来控制芯片堆叠时的翘曲现象从而显著提升散热性能和稳定性。如图，超级计算大会2025上SK海力士联合英伟达展出的GB300平台就采用HBM4内存方案，其拥有2048个I/O通道、11Gbps数据传输速率、12Hi 24GB 颗粒堆叠。

数据显示在当下HBM市场竞争中，SK海力士拥有全球62%市场占有率，其已然控制英伟达超90%的HBM产品供应。而拥有半导体生产线的三星电子才凭借HBM3E技术机身英伟达供应链，而美光目前正在进行的HBM4设备采样，数据传输速率只有9.2 GT/s。

随着SK海力士第六代HBM4内存技术迭代、产能升级，三星、美光面临的技术、市场压力会越来越大，在未来AI算力革命中谁能在技术迭代速度、产能释放效率与客户绑定深度上形成综合优势，谁才能真正站稳跟脚，市场留给SK海力士、三星的机遇都很大。