近日，全球三大存储巨头之一的美光宣布：其斥资1000亿美元建造的巨型晶圆厂将在1月16日动工，据悉该项目包含四座DRAM晶圆厂，未来将聚焦1γ nm制程工艺研发、重点量产高端DRAM、HBM4等AI专用内存产品，首座工厂预计在2030年投入生产，全部项目完成后预计能创造50000个就业岗位。

数据显示，2025年第三季度SK海力士、三星、美光分别以33.2%、32.6%、25.7%的份额垄断90% 以上DRAM市场；而2026年全球半导体市场规模将接近1万亿美元，作为AI计算核心硬件DRAM的市场需求正在不断激增。为了应对市场需求、争夺DRAM市场话语权，美光此次大手笔投资建厂意图很明显，即通过纽约工厂的产能释放，将自身市场份额提升至40%，从而超越三星与SK海力士，成为全球第一大DRAM制造商，而美国联邦政府也通过《芯片法案》为该项目提供61.4亿美元资金补贴，助力美国本土半导体制造产能增长。

之所以狠心拿千亿资金投资建厂，背后大致有两重原因。一方面，美光拥有覆盖DRAM、NAND闪存及高端专用存储的完整产品线，其在1γ nm制程DDR5内存、HBM4、第九代（G9）3D NAND领域的产品、技术能与行业巨头正面竞争；另一方面AI服务器对高端存储的需求呈现指数级增长且市场供需严重失衡，据悉美光2026年全年HBM产能已然售罄，甚至行业已经出现“客户以现金支付全额预付款换取1-3年供应保障”的霸王合同条款。

对美光来说，预想结果挺美好但要面临的市场风险同样不小。要知道，这个斥资超千亿美元的项目最早也要在2030年投入生产，甚至全部建成要到2040年以后，长达十余年的回报周期很考验企业资金流运转；而DRAM产品生产对良品率要求极高，美光新工厂的供应链、制造水准能否达标还是未知数。至于HBM市场SK海力士已经获得全球首个量产系统、三星也计划在2026年实现量产，美光在高端技术领域尚处于追赶阶段，能否后来者居上还要看后续技术研发、创新力度。未来十年，存储市场发展存在太多变量，美光能否如愿登顶全球第一还要交给时间来验证。