继续请教内存问题

EcKaLo

内存时序对性能和超频有什么影响！？怎么设置比较好！？
还有就是修改内存时序后在CPU－Z里看的话是不是memory选项里？SPD是内存原始的默认设置值？！
谢谢各位了

超频的话,时序设置一般情况下默认就可以了
时序的第一位数(CL)最重要,这个是关系到内存的读写速度的
CL从5提到4,理论上可以提高内存15%的性能
但是需要注意,读写速度不是越快越好,太快的话,就可能出现大量的读写错误.
在任务管理器->性能->资源监视器->内存这一条里面可以看到硬错误次数,
如果CL提高了,硬错误次数大幅提高的话,建议还是改回默认吧

后三位建议不要改
后三位涉及到一个循环的时间设置.而且提升不大

如果超频内存遇到瓶颈,可以将CL适当减小,以期最大频率,但是,最大频率不等于最大性能.

恩,是可以在CPU-Z的MEMORY里面看到
SPD是厂商加入在内存中的信息,也就是通过这个信息调节内存的时序
当然,也可以理解为默认,不过有的内存有两个SPD信息,在更低频率下,可能会有更快的时序
如果在BIOS里面选择不默认的话,那就可以手动调节了

CL从5到4感觉没有太大提升得话是不是内存得RP问题了？还是因为把后面3项也改了造成？
还有那个CR到底用1T好还是2T好！？谢谢

改变时序后用几个软件测下来感觉计算Pi得差距不明显，而用Everest的测试有点小差距，各位觉得用哪个时序比较好？谢谢
4-4-4-11 CR1
7334-7269
7185-7159
6898-6876
68.7-68.9

4-5-5-15 CR1
7268-7232
7185-7153
6852-6826
69.5-70.0

5-6-6-15 CR2
6823-6794
7187-7145
6457-6433
76.1-76.5

读取，写入，复制，潜伏每个都测个十来次的最大最小范围

同频的内存 延时越低越好

原帖由 游侠 于 2008-12-27 17:27 发表
同频的内存 延时越低越好

就是说用1T好么？不过貌似需要加压到1.9V，对条子应该没大影响吧！？

内存的安全电压是1.9V-1.8V
2V以上才是加压使用

啊哦，因为默认1.8额，手动调到1.9的
没问题就好，谢游侠版～

另外想问下3.2G的Q66配4-4-4-11 CR1双通跑100万Pi 16.9秒左右是不是有点慢:a33:

不慢
原因是PI是单核计算的