【言者无罪】K8平台/1T/2T/内存双通道杂谈

csurice

【言者无罪】K8平台/1T/2T/内存双通道杂谈
片选：


      内存控制器发送寻址命令之前先要进行片选，也就是对物理Bank的选择，这里就诞生了CMD的概念。CMD

也叫CPC（Command per Clock），它的含义是片选后经过几个时钟周期可以发出具体的行寻址命令。如果系

统只使用一条单面内存（只有一个物理Bank），就不存在片选的问题了。通常默认CMD=1T，也有一些主板BI

OS中提供了2T的选择，可以在使用双bank或多条内存时提供更好的稳定性，但是代价是影响内存效能。

1T下的SANDRA测试成绩:

63xxMB/S

与2楼同一平台，1T改2T，其他设置不变

2T下的SANDRA测试成绩:

52XXMB/S,比1T差了1100MB/S,很明显

有点不大明白！

漫漫研究研究

用好Athlon64的内存双通道：


   随着AMD对其Athlon64处理器价格的不断调整，支持双通道内存的Socket939 Athlon64在国内的人气是日益高涨。一些用户已经为其买单了。相信其中不少用户就是为了体验它那超强的内存带宽而购买的。那么要怎么样设置才能让Athlon64平台得到最佳的内存性能呢？
   众所周知K8平台的内存控制器不在主板芯片上，而是被集成到了CPU内部以尽量减少延迟。但是这也让它对内存的品质和搭配提出了较高的要求。其中又以Socket939 Athlon64为甚。要怎么解决这个问题？AMD采用了“牺牲速度换取稳定”的方法，在内存控制器中引入了对内存Command Rate（译为首命令延迟或命令循环速率，简称CMD Rate）的控制。这个参数的含义是对行物理Bank进行选择后发出具体寻址的行激活命令的时间，以时钟周期为单位。平时我们在查看一些内存的延时信息时，会看到内存参数以如下方式书写： CAS 2.5-3-3-7-1T。前面的四个数字是我们讨论得较多的内存CL（列地址脉冲反应时间）、Trcd（RAS到CAS延时）、Trp（行预充电时间）、Tras（行地址脉冲反应时间）。“1T”就是Command Rate的参数。一般我们还能见到“2T”，2T的延时要比1T长。Command Rate并不是什么新的东西,只不过在以前的主板BIOS里很难见到有关的选项而已。内存Command Rate的工作状态我们可以同过EVEREST这款软件来查看。

按AMD的说法，当内存模组使用1T Timing与CPU外频同步工作在双通道模式下时就可获得最佳内存性能。不过，当主板上内存模组增多时，内存控制器的负载也会增加，命令间隔过短可能会影响内存稳定性。如果发生不稳定的情况，AMD则建议用户将内存设在2T Timing上。现在大多数K8主板都有相关的选项，用户可以自己调节。由Command Rate的含义可知, Command Rate参数的设置还与内存Bank数有关。Intel的部分芯片组把内存通道可支持到的最大内存Bank数限制到4个，这样就能够从容的使用1T Timing。而在双通道K8平台上如果用户在两个内存通道中装入的内存Bank数不对等（如单双面内存混插、同时插三条内存等，这叫做非对称性双通道），那么CPU会将Command Rate延时默认设在2T上，甚至将内存降频工作。当在主板所有的DIMM槽上都装满了内存，就算Bank数对等，也只能使用2T Timing。所以用户必须注意内存的搭配。这并不是“主板挑内存”。

由于Athlon64拥有降低倍频的能力,在不改变CPU主频的情况下可以将内存频率提得很高.与CL值等参数相同,增大Command Rate延时可以在一定程度上增强内存的可超性。

Command Rate延时对于内存性能的影响是巨大的。

     对Athlon64平台进行内存优化时,首先要尽量能够让内存工作在1T Timing上,其次才是CL值等参数的优化;在组建双通道时尽可能选择同品牌同一系列相同容量的内存.另外不论是在P4平台还是K8平台，笔者都推荐使用两条内存组建双通道，因为这样能够在很大程度上减少一些莫名其妙的问题发生的概率。

wodeer2003让人长知识啊。。。
顺便问一下：
听说内存的插法有讲究，不知道到底怎样插才对呢？
之前看到别人帖子有如下阐述，也不知道对不对：

有没有看过主板说明书
大多主板3内存槽的要求
1内存条 单双皆可
2内存条 一单一双
3内存条 3单
单双是指内存面
不符合就当降频使用

用是可以用.但有两个前提,一是你要插1&2槽或者1&3槽,第二是1006版或者1004版的BIOS,否则有可能会出现运行不了DDR400,自动降回333的问题. 这是我亲身经历过的,1007和1008版都存在这个问题.

学习ｉｎｇ、、、、、、、、、、、、、、