近期，台积电在欧洲OIP论坛上公布了其A14制程——也就是1.4nm工艺，性能提升与功耗下降的相关信息。

根据台积电的说法，A14工艺制程将会采用第二代GAAFET技术与NanoFlex Pro标准单元架构，预计会在2017年年底启动风险试产，大规模量产要等到2028年。

如果相较于2018年台积电发布的7nm工艺制程，那么A14的性能在相同功耗下提升了1.83倍，功耗效率则是提升了4.2倍。

从台积电给出的图表可以看到，N7、N5、N3E、N2、A14这几个工艺制程节点性能的提升分别是18%、17%、15%以及16%，性能的提升十分稳定，几乎是成一条直线。

而这几个工艺制程的能效提升显然更加不好控制，在N3E至N2时表现最差，仅有24%，不如N5、N3的能效提升来得明显。

在论坛上，台积电也在强调A14制程的功耗表现。台积电表示A14制程相较于N2制程性能会依然维持在15%至18%之间，而功耗则最多可能降低30%，功耗降低会是台积电关注的重点。

台积电还透露，芯片设计师可以利用AI增强的Cadence Cerebrus AI Studio和Synopsys DSO.ai等自动化设计工具探索更广泛的优化空间，并且自动调整设计参数与布局，去提升芯片性能降低功耗，这可能大约节省7%的总功耗。

台积电A14工艺制程或将先由中国台湾新竹宝山Fab20的P3、P4工厂率先推出，产能目标为每月50000片晶圆，而苹果、英伟达、AMD或将会是台积电A14的首批客户。