提到SLC闪存，很多朋友的心态都是仰望的。毕竟在很多朋友认识固态硬盘之前，SLC就已经功成身退，被MLC闪存所取代。在3D TLC的世界讨论3D SLC多少有着一些崇拜在其中。

但是笔者要说的是，东芝近期在FMS闪存峰会上发布的XL-FLASH并非是简单在BiCS 3D架构下对SLC闪存的复刻，而是一次全新的技术革新。

作为闪存的发明者，东芝研发XL-FLASH的目标是低延迟、高带宽，于DRAM内存和当前3D TLC之间寻找新的技术层。XL-FLASH比普通闪存快，在具备较低读写延迟的同时还具备DRAM所没有的断电数据保持能力，它就像一个“内存”与“硬盘”的结合体。

为什么选择NAND结构？

东芝是NAND闪存的发明者，凭借BiCS架构在3D NAND闪存方面拥有着独到的技术优势。笔者认为，在NAND闪存基础上进行创新，一方面有助于降低全新架构的研发风险，另一方面也能直接找准NAND闪存中的原有痛点所在，有的放矢地提升性能表现。

XL-FLASH与普通3D NAND有什么不同？

首先是4KB Page。很多朋友都知道固态硬盘会针对4KB读写进行优化，这是因为现实中操作系统对硬盘的读写以随机访问为主，其中随机读取的粒度又以4KB为多。但实际上3D TLC的一个Page页有16KB容量。

 Page大小会影响闪存性能。对于采用16KB Page的BiCS闪存而言，主机每读取4KB数据，实际通过闪存接口传输到主控的是16KB，增加了读取延迟。同样的，当主机请求写入4KB数据时，主控可能需要在SRAM缓冲区内等待凑齐16KB内容再行写入，同样影响效率。XL-FLASH采用4KB作为Page大小，直击性能关键。

 其次是128Gb die容量。对于普通消费者来说，大家关心的是固态硬盘的整体容量，但对于制造商来说，单个闪存Die的容量关系到制造成本。对于SLC类型的闪存而言，128Gb的单die容量是一项了不起的成就，相比当代主流3D TLC只降低1/2左右，但是性能和耐久度表现会有质的提升。

 最后是16-Plane架构。多平面架构可以提升每个闪存die之内的并发性能，当代3D TLC闪存大都采用2-Plane结构，东芝在XL-FLASH中将这一数值大幅提升至16-Plane，目的很明确：瞄准DRAM内存级带宽。

XL-FLASH与普通3D NAND有什么相同点？

XL-FLASH也会采用BiCS三维堆叠技术。

闪存提升存储密度并降低单位容量成本的手段主要有制程微缩（目前已经接近瓶颈期）、每单元存储更多比特数据（SLC->MLC->TLC->QLC）和3D堆叠三种，前两种都会影响性能与耐久度。XF-FLASH在保持SLC结构的同时，3D堆叠可以带来成本优势，这是过去平面SLC闪存所无法得到的。

2/4/8die封装。在我们直视可见的闪存颗粒之内，可以同时封装多个闪存die。对于XL-FLASH来说，128Gb/die、8die封装传递出的信息是：单个XL-FLASH闪存颗粒可以提供128GB存储空间。

单个颗粒的存储容量对于在紧凑空间内的存储装置至关重要，譬如超极本、二合一笔记本电脑甚至是手机平板。

XL-FLASH应用以及同我们的交集

目前3D TLC依然还是家用SSD的主流，XL-FLASH瞄准的主要是企业级和数据中心级高性能存储中对于低延迟的需求、对于超大内存容量的需求。未来随着XL-FLASH成本的下降以及3D QLC的全面普及，相信XL-FLASH也会有机会作为QLC闪存的加速媒介进入到个人电脑硬件当中。